19世纪末
科学家陆续发现电子在强电场下，还可以从金属或者半导体表面通过量子隧穿效应逃逸，称其为“场致发射”。
1991年
碳纳米管（CNT）首次被发现，具有极大的长径比和优异的导热、导电特性，是理想的“场致发射”材料，这为研究常温下实现电子发射的“冷阴极”提供了新方向。
2002年
美国北卡罗来纳大学的Otto Zhou团队首次实现碳纳米管“冷阴极”X射线源毫安级别出束流强，达到工业、安检成像所需水平，由此打开“冷阴极”X射线源规模化商用的大门。
2005年
美国北卡罗来纳大学的Otto Zhou团队研制出基于碳纳米管冷阴极的多焦点分布式X射线源结构，进一步推动这项突破性技术的发展，为医学影像和工业检测等辐射成像领域带来了新的可能性。
2007年
清华大学辐射成像团队基于分布式X射线源开展了CT三维成像应用的早期研究，在静态CT快速成像方法、分布式X射线源静态CT系统等方面开展了大量研究工作，不仅拓展了成像技术的边界，更为我国在医学影像和工业检测领域迈出了关键一步。
2015年
新鸿电子成立，加速了碳纳米管“冷阴极”分布式X射线源技术成熟度的提升，使得X射线成像技术摆脱了传统的白炽灯加热灯丝的模式，在真空管中产生X射线的方法被电压控制取代，这是X射线成像技术发展百年来的重大突破。
19世纪末
科学家陆续发现电子在强电场下，还可以从金属或者半导体表面通过量子隧穿效应逃逸，称其为“场致发射”。
1991年
碳纳米管（CNT）首次被发现，具有极大的长径比和优异的导热、导电特性，是理想的“场致发射”材料，这为研究常温下实现电子发射的“冷阴极”提供了新方向。
2002年
美国北卡罗来纳大学的Otto Zhou团队首次实现碳纳米管“冷阴极”X射线源毫安级别出束流强，达到工业、安检成像所需水平，由此打开“冷阴极”X射线源规模化商用的大门。
2005年
美国北卡罗来纳大学的Otto Zhou团队研制出基于碳纳米管冷阴极的多焦点分布式X射线源结构，将这项突破性技术更进一步推进，为医学影像和工业检测等辐射成像领域带来了新的可能行。
2007年
清华大学辐射成像团队基于分布式X射线源开展了CT三维成像应用的早期研究，在静态CT快速成像方法、分布式X射线源静态CT系统等方面开展了大量研究工作，不仅拓展了成像技术的边界，更为我国在医学影像和工业检测领域迈出了关键一步。
2015年
新鸿电子成立，加速了碳纳米管“冷阴极”分布式X射线源技术成熟度发提升，使得X射线成像技术摆脱了传统的白炽灯加热灯丝的模式，在真空管中产生X射线的方法被电压控制取代，这是X射线成像技术发展百年来的重大突破。
深耕碳纳米管“冷阴极”X射线源
为了进一步提升X射线的效率，新鸿电子团队采用独特的碳纳米管阴极制备工艺，研发出“超纯少壁”碳纳米管。碳纳米管冷阴极技术具有常温发射电子、大电流脉冲式工作、高稳定重复出束、长寿命稳定运行等极大的技术优势。
全球领先的多焦点分布式技术
新鸿电子多焦点分布式技术，能够实现单一真空腔内高密度布置数百个焦点，射线源内分布的焦点越多，得到的物体姿态和结构信息越丰富；并且每个焦点都可在软件控制下独立工作、快速切换，这种创新的成像模式改变了X射线的产生和利用方式，能够对目标物体开展不同视角的快速成像，突破传统三维成像需要机械移动X射线源带来的速度瓶颈。
全球领先的多焦点分布式技术
新鸿电子多焦点分布式技术，能够实现单一真空腔内高密度布置数百个焦点，射线源内分布的焦点越多，得到的物体姿态和结构信息越丰富；并且每个焦点都可在软件控制下独立工作、快速切换，这种创新的成像模式改变了X射线的产生和利用方式，能够对目标物体开展不同视角的快速成像，突破传统三维成像需要机械移动X射线源带来的速度瓶颈。
从分布式X射线源到静态三维成像
碳纳米管“冷阴极”技术是研发分布式X射线源的基础，分布式X射线源是实现静态三维成像的核心。与传统CT设备通过快速旋转一个巨大的X射线源来扫描不同，分布式X射线源通过阵列排布和电控依次出束，可以无需机械运动，即快速拍摄出多个视角的图像，并通过算法实现三维成像，带来前所未有的成像效果。
筑建技术护城河，保持长期竞争优势
新鸿电子在碳纳米管“冷阴极”分布式X射线源领域拥有全面的知识产权布局，累计获得数十项国内外专利，是全球唯一能大规模稳定量产碳纳米管“冷阴极”分布式X射线源的企业，为公司的长期发展构筑了坚实的竞争壁垒。
筑建技术护城河，保持长期竞争优势
新鸿电子在碳纳米管“冷阴极”分布式X射线源领域拥有全面的知识产权布局，累计获得数十项国内外专利，是全球唯一能大规模稳定量产碳纳米管“冷阴极”分布式X射线源的企业，为公司的长期发展构筑了坚实的竞争壁垒。